在易事特UPS电源中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驱动，控制简朴、开关频率高的长处，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的长处、使用IGBT成为UPS功率设计的首选，只有对IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能施展IGBT的长处。本文先容UPS中的IGBT的应用情况和使用中的留意事项。

　　2.IGBT在UPS中的应用情况

　　绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种MOSFET与双极晶体管复合的器件。它既有功率MOSFET易于驱动，控制简朴、开关频率高的长处，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的明显长处。据东芝公司资料，1200V/100A的IGBT的导通电阻是统一耐压规格的功率MOSFET的1/10，而开关时间是同规格GTR的1/10。因为这些长处，IGBT广泛应用于不中断电源系统（UPS）的设计中。这种使用IGBT的在线式UPS具有效率高，抗冲击能力强、可靠性高的明显长处。

　　UPS主要有后备式、在线互动式和在线式三种结构。在线式UPS以其可靠性高，输出电压不乱，无间断时间等明显长处，广泛用于通讯系统、税务、金融、证券、电力、铁路、民航、政府机关的机房中。本文以在线式为先容对象，先容UPS中的IGBT的应用。

　　易事特在线式UPS电源具有独立的旁路开关、AC/DC整流器、充电器、DC/AC逆变器等系统，工作原理是：市电正常时AC/DC整流器将交流电整流成直流电，同时对蓄电池进行充电，再经DC/AC逆变器将直流电逆变为尺度正弦波交流电，市电异常时，电池对逆变器供电，在UPS发生故障时将输出转为旁路供电。在线式UPS输出的电压和频率最为不乱，能为用户提供真正高质量的正弦波电源。

　　①旁路开关（ACBYPASSSWITCH）

　　旁路开关常使用继电器和可控硅。继电器在中小功率的UPS中广泛应用。长处是控制简朴，本钱低，缺点是继电器有转换时间，还有就是机电器件的寿命题目。可控硅常见于中大功率UPS中。长处是控制电流大，没有切换时间。但缺点就是控制复杂，且因为可控硅的触发工作特性，在触发导通后要在反向偏置后才能关断，这样就会产生一个最大10ms的环流电流。假如采用IGBT，则可以避免这个题目，使用IGBT有控制简朴的长处，但本钱较高。其工作原理为：当输入为正半周时，电流流经Q1、D2，负半周时电流流经D1、Q2。

　　②整流器AC/DC

　　易事特UPS整流电路分为普通桥堆整流、SCR相控整流和PFC高频功率因数校正的整流器。传统的整流器因为基频为50HZ，滤波器的体积重量较重，跟着UPS技术的发展和各国对电源输入功率因数要求，采用PFC功率因数校正的UPS日益普及，PFC电路工作的基频至少20KHZ，使用的滤波器电感和滤波电容的体积重量大大减少，不必加谐波滤波器就可使输入功率因数达到0.99，PFC电路中常用IGBT作为功率器件，应用IGBT的PFC整流器是有效率高、功率容量大、绿色环保的长处。

　　③充电器

　　UPS的充电器常用的有反激式、BOOST升压式和半桥式。大电流充电器中可采用单管IGBT，用于功率控制，可以取得很高的效率和较大的充电电流。

　　④DC/AC逆变器

　　3KVA以上功率的在线式UPS几乎全部采用IGBT作为逆变部门的功率器件，常用全桥式电路和半桥电路。

　　3.IGBT损坏的原因

　　易事特UPS电源在使用过程中，常常受到容性或感性负载的冲击、过负荷甚至负载短路等，以及UPS的误操纵，可能导致IGBT损坏。IGBT在使用时的损坏原因主要有以下几种情况：

　　①过电流损坏;

　　IGBT有一定抗过电流能力，但必需留意防止过电流损坏。IGBT复合器件内有一个寄生晶闸管，所以有擎住效应。图5为一个IGBT的等效电路，在划定的漏极电流范围内，NPN的正偏压不足以使NPN晶体管导通，当漏极电流大到一定程度时，这个正偏压足以使NPN晶体管开通，进而使NPN和PNP晶体管处于饱和状态，于是寄生晶闸管开通，门极失去了控制作用，便发生了擎住效应。IGBT发生擎住效应后，漏极电流过大造成了过高的功耗，最后导致器件的损坏。

　　②过电压损坏;

　　IGBT在关断时，因为逆变电路中存在电感成分，关断瞬间产生尖峰电压，假如尖峰电压过压则可能造成IGBT击穿损坏。

　　③桥臂共导损坏;

　　④过热损坏和静电损坏。